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Linear Systems J500系列電流調節二極管0.192mA至5.6mA

2026-01-05 09:14:06

SST500系列是Linear Integrated Systems推出的高精度電流調節二極管（CRD），可在寬電壓范圍內（最高50V）提供穩定的恒定電流（0.192mA~5.6mA），無需額外偏置電路，適用于測試儀器、醫療設備、傳感器偏置和LED驅動等場景。相比Vishay/Siliconix的SST502系列，其性能更優、一致性更好，并提供SOT-23封裝，支持-55°C~150°C寬溫工作，動態阻抗范圍0.07MΩ~15MΩ，持續功耗350mW。

onsemi SiC MOSFET NTBG014N120M3P

2026-01-04 09:09:06

Onsemi的NTBG014N120M3P是第三代1200V EliteSiC溝槽MOSFET，采用D2PAK-7L封裝，具有14mΩ超低導通電阻（25°C時150A連續電流），專為高頻高效設計，開關損耗僅1.95mJ（開通1331μJ/關斷620μJ），柵極電荷377nC，支持40kHz以上開關頻率；其優勢包括：175°C高溫下導通電阻29mΩ、418mJ單脈沖雪崩能量、0.23°C/W超低熱阻，工作結溫-55~175°C，兼容標準SiC驅動器，廣泛應用于光伏逆變器、EV快充、儲能系統等高壓高效場景。

DEI1022/1023/1024/1025 ARINC429線路驅動器Device Engineering

2025-12-30 08:59:32

DEI1022/23/24/25 系列是“即插即用”的 ARINC 429 線路驅動器，只需一枚電容即可設定速率，提供四種輸出阻抗/保護組合，讓航空數據總線接口設計更小、更輕、更可靠。

Ampleon CLP24H4S30P：2.4GHz頻段66%超高效率GaN-SiC功率晶體管

2025-12-29 09:24:47

Ampleon CLP24H4S30P是一款采用GaN-on-SiC HEMT技術的30W高效功率晶體管，工作頻段為2.4-2.5GHz ISM頻段，專為連續波（CW）應用優化設計。該產品適用于工業加熱/干燥系統、商用/家用微波設備、醫療治療設備及科研儀器等領域。

Rogers羅杰斯RO3203、RO3206、RO3210材料規格

2025-12-29 09:22:01

Rogers羅杰斯RO3203、RO3206和RO3210高頻PCB電路材料采用陶瓷填料層并由玻璃編織布加固，開發目的是以有競爭力價格提供卓越電氣和機械穩定性，其作為RO3000系列高頻材料延伸，特點是更好機械穩定性，還介紹了它們的各項性能參數、標準厚度、標準面板尺寸、標準銅箔覆蓋情況、優點及應用領域。

A3M34SL039 61W Doherty功率放大器模塊頻率3.3-3.7GHz NXP恩智浦

2025-12-23 09:50:30

NXP半導體公司的A3M34SL039是一款面向5G無線基礎設施（如大規模MIMO、小基站）的高集成度Doherty功率放大器模塊，工作于3.3-3.7GHz頻段，提供8W平均功率、29.6dB增益和37.1%效率，采用10×8mm表貼封裝，集成自動偏置控制、I2C接口和溫度傳感功能，通過數字線性化技術實現-31.6dBc鄰道泄漏比，支持-40℃至125℃工業環境應用。

Broadcom PEX8696,PEX8680,PEX8664,PEX8649 PCIe Gen-2交換芯片

2025-12-23 09:46:24

Broadcom ExpressLane PEX-86xx系列是面向服務器、存儲和通信平臺的多主機PCIe Gen-2交換芯片組，提供96/80/64/48 lane四檔規格（對應24/20/16/12端口），該系列通過PCIe 2.0（5GT/s）兼容設計，廣泛應用于GPU擴展背板、NVMe JBOF及電信冗余控制等高可靠性場景.

NCP3237工業級8A DC-DC降壓轉換器Onsemi

2025-12-18 09:03:20

Onsemi NCP3237是安森美半導體推出的高效率同步降壓轉換器芯片，采用QFN18緊湊封裝（3.5mm×3.5mm），集成功率MOSFET，支持4.5-16V寬輸入范圍和0.6-12V可調輸出（±1%精度），單相可提供8A輸出電流，效率高達95%（12V轉3.3V時），開關頻率可調（300kHz-1.2MHz），工作溫度覆蓋工業級-40°C至150°C，適用于通信設備、服務器/存儲系統和工業控制等空間受限的高性能電源管理場景。

Semelab D1028UK 300W射頻功率晶體管

2025-12-18 09:00:38

Semelab D1028UK是一款高性能DMOS工藝金屬柵極硅FET晶體管，關鍵參數包括28V工作電壓、438W最大功耗、70V漏源擊穿電壓及0.4°C/W優異熱阻特性，特別適用于廣播通信、工業加熱和軍事射頻系統等高功率高頻應用場景。

DATEL SB系列高隔離1/16磚型DC-DC轉換器

2025-12-16 09:22:21

DATEL SB系列采用十六分之一磚標準封裝（0.9×1.3×0.404英寸），提供4:1超寬輸入范圍（部分型號2:1）和2.5-15V精密穩壓輸出，功率覆蓋50W（4:1輸入）至100W（多輸出）。符合EN60950等安規認證，是航空航天、工業自動化等嚴苛環境下高可靠性電源解決方案。

Rogers RO3210? 高頻層壓板電路材料：10.2介電常數

2025-12-15 09:29:53

RO3210?是Rogers公司RO3200?系列的陶瓷填充高頻電路材料，采用玻璃纖維編織增強，具備特定技術規格（如介電常數等多方面參數及對應測試條件、方法）、標準規格（厚度、面板尺寸、銅箔選項），典型應用于汽車電子、通信基礎設施、衛星通信、工業設備等場景。

DATEL數模轉換器DAC 8位到16位

2025-12-12 09:31:31

DATEL DAC 產品提供 高速、高精度、寬溫、軍工級 多種選擇，適用于從消費級到航空航天級的廣泛需求。如需具體型號推薦，可進一步提供應用場景參數（如采樣率、溫度范圍等）。

Renesas瑞薩R7F122FGG3AFB-C,R7F125FPL3AFB-C車規級16位MCU

2025-12-11 10:07:08

瑞薩電子RL78/F22和F25系列是專為汽車電子和工業控制設計的高可靠性微控制器，具備超低功耗（1.8V~5.5V寬電壓）、高性能（40MHz主頻）和功能安全（ISO 26262 ASIL-B）特性。F22（128KB Flash）適用于經濟型應用如車燈控制，而F25（512KB Flash）支持CAN-FD和更復雜場景如車身控制模塊。全系集成硬件加密（AES/TRNG）、豐富外設（ADC/DAC/觸摸感應），并提供完整開發工具鏈，是汽車級嵌入式系統的理想選擇。

Marvell 88E6361單芯片8端口以太網交換機

2025-12-11 09:41:47

Marvell 88E6361是一款高度集成的8端口千兆以太網交換芯片，集成了5個10/100/1000Mbps PHY和3個高速SerDes接口（包含2個2.5G SerDes和1個可配置為2.5G SerDes或RGMII的接口）。特別適用于SMB交換機、工業網關和云管理交換機等應用場景。

210-0603,210-0508 MTI-MILLIREN 210系列OCXO 14 Pin DIP封裝

2025-12-10 09:14:19

MTI-MILLIREN 210系列OCXO適用于對性能要求高的場景，具備低功耗（25°C時連續功耗≤0.70W）、STRATUM III性能、低相位噪聲等特點，應用領域包括STRATUM III、電信、微波無線電等。

DATEL DAC-1025SE 10位250MSPS高速DAC芯片

2025-12-09 09:02:59

DATEL DAC-1025SE 是一款高性能10位分辨率、250 MSPS采樣率的數字模擬轉換器(DAC)，專為高速信號處理而設計。它采用低功耗架構，支持+3V至+5V單電源供電，內置1.2V精密基準電壓，并具備CMOS輸入鎖存功能，適用于醫療成像、通信基站、測試測量等高精度、高動態范圍應用場景。

Semelab RF功率MOSFET產品系列選型對比表

2025-12-08 09:39:15

Semelab（現屬TT Electronics）的RF功率MOSFET產品，具備0.52mΩ超低導通電阻（以D2000系列為例）、高增益（最高13dB）、寬頻帶（1MHz - 2GHz）及緊湊封裝（DP/SO8/DK等）特性，滿足VHF/UHF通信、廣播發射、工業加熱、汽車電子（需補充具體型號）等高頻高功率場景需求。

Onsemi NVMFWS系列汽車級低/中壓MOSFET

2025-12-08 09:34:37

Onsemi NVMFWS系列是符合AEC-Q101認證的汽車級MOSFET，采用PowerTrench?技術實現0.52mΩ超低導通電阻和414A超高電流能力，搭配5×6mm2 SO-8FL緊湊封裝優化布局空間。其低柵極電荷(Qg)設計提升開關效率，并通過RoHS/無鹵素環保認證，專攻新能源汽車（電機驅動/OBC）、工業自動化（伺服機器人）、電池管理（BMS）及高頻電源系統（同步整流）等高可靠性場景，滿足PPAP文檔要求。

onsemi NTMFS4D系列功率MOSFET

2025-12-08 09:30:26

onsemi 安森美NTMFS4D系列功率MOSFET是一款高性能器件，具有3.5mΩ超低導通電阻和119A大電流承載能力，采用緊湊型DFN5封裝（5x6mm）優化空間占用，并通過3.5°C/W超低熱阻和軟體二極管恢復技術顯著提升散熱效率與開關性能，適用于電機驅動、電池保護（如電動汽車）、同步整流及汽車/工業電源管理等場景

Vishay S222M33Z5UP6UK5R高壓陶瓷圓片電容1 kV~6 kV

2025-12-05 09:02:55

Vishay BCcomponents S Series 是高性能陶瓷單層直流圓片電容器系列，涵蓋1kVDC至6kVDC額定電壓及10pF-33nF電容范圍，適用于高壓濾波（測試電壓達額定值200%）、工業控制及醫療設備等場景。