MICRON DDR4 內存
發布時間:2021-06-04 17:07:48 瀏覽:2705
MICRON DDR4內存是全新一代的存儲空間標準規范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區別:16位預取機制(DDR3為8位),在同樣內核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數據標準規范更加安全可靠,數據安全可靠性進一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環保節能。
MICRON DDR4是DRAM的下一代演進,提供更強的性能指標和更強大的控制功能模塊,與此同時提高企業、微型服務器、平板電腦和超薄客戶端應用領域的環保節能性。

微型DDR4內存特點:
寬度:x4、X8,x16;
電流電壓:1.2V;
封裝:FBGA、TFBGA;
時鐘頻率:1200MHz、1333MHz、1600MHz;
工作溫度:0℃至+95℃、-40℃至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃;
深圳市立維創展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內存顆粒芯片和工業級內存條為特色產品優勢。歡迎咨詢合作。
詳情了解MICRON請點擊:/brand/54.html
或聯系我們的銷售工程師:0755-83050846 QQ: 3312069749
推薦資訊
LSJ74和SST74是單P通道超低噪聲晶體管,適用于音頻和聲學應用。它們具有超低噪聲水平、高增益、高輸入阻抗和低電容等特性。這些晶體管還具備最大限制評級、高擊穿電壓和穩定的漏電流與柵極電流。它們提供TO-92和SOT-89封裝,可作為東芝2SJ74的替代品,適用于對信噪比要求高的應用。
VAWQ3系列隔離式DC-DC轉換器是專為工業應用設計的高性能電源轉換設備,具有高達3W的隔離輸出、4:1寬輸入電壓范圍(9V至72V)、標準24針DIP封裝、多種輸出選項(包括3.3V、5V、12V和15V)、3000V高隔離電壓、短路保護、寬工作溫度范圍(-25°C至71°C)以及高達77%的效率。這些特點使其成為需要高電氣安全和穩定電源的工業應用的理想選擇。
在線留言