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Infineon英飛凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模塊

發(fā)布時間：2024-03-05 11:33:44     瀏覽：2611

Infineon英飛凌 EasyDUAL 2B (易雙雙? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶體管半橋模塊是一款1200V的高性能產(chǎn)品，具有11 mΩ G1的極低電阻，集成了NTC溫度傳感器、PressFIT壓接接觸技術和預涂熱界面材料。

Infineon英飛凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模塊

**特征描述**：

- 封裝高度為12mm，具備一流的封裝設計。

- 使用前沿的WBG材料(寬禁帶能帶材料)。

- 模塊內部的雜散電感很低，有助于提高性能。

- 采用增強型CoolSiC? MOSFET Gen 1技術。

- 擴大的柵極驅動電壓窗口。

- 柵源電壓范圍為+23 V 和 -10 V。

- 在高達175°C的過載條件下，具備出色的TVJOP(結溫鉗位)性能。

- 使用PressFIT壓接針進行連接。

- 集成了NTC溫度傳感器。

**優(yōu)勢**：

- 出色的組件效率，能夠提供高效的工作表現(xiàn)。

- 具備系統(tǒng)成本優(yōu)勢，可降低整體開銷。

- 提高系統(tǒng)效率，使系統(tǒng)更加節(jié)能。

- 降低冷卻要求，減少散熱需求。

- 支持實現(xiàn)更高的工作頻率。

- 提高功率密度，實現(xiàn)更小體積的設計。

**應用領域**：

- 不間斷電源(UPS)。

- 儲能系統(tǒng)。

- 電動汽車快速充電。

- 燃料電池DC/DC升壓轉換器。

- 太陽能系統(tǒng)解決方案。

參數(shù)：

參數(shù)FF11MR12W2M1HP_B11
應用儲能系統(tǒng) ; 電動汽車充電器 ; UPS不間斷電源 ; 太陽的
配置半橋
尺寸（長度）62.8 毫米
尺寸（寬度）48 毫米
特征PressFIT ; TIM
HousingEasy 2B
資格工業(yè)
RDS（開）（@ Tj = 25°C）10.8毫安

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