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SD11915 1200V SiC全橋功率模塊Solitron

發布時間:2025-09-04 08:51:09     瀏覽:4855

  Solitron Devices, Inc.生產的SD11915是一款SiC(碳化硅)全橋功率模塊,具備1200V/50A的強勁性能,導通電阻低至32mΩ,大幅提升系統效率并降低損耗。其高速開關特性和優化的低寄生參數支持高頻應用,同時集成NTC溫度監控和創新的銅鉬底板散熱設計,確保高溫環境下的可靠運行。緊湊型封裝集成了全橋電路,節省空間且抗震性強,是新能源、電動汽車和工業電源等高效能應用的理想選擇。

SD11915 1200V SiC全橋功率模塊Solitron

  電氣特性

  最大漏源電壓(VDS):1200V

  最大連續漏極電流(ID):50A(25°C時)

  最大脈沖漏極電流(ID, pulse):160A(脈沖寬度受限于最大結溫Tjmax)

  最大功率損耗(PD):176W

  最大工作和存儲結溫(TJ, TSTG):-55°C至+175°C

  漏源導通電阻(RDS(on)):

  25°C時為33mΩ(VGS = 15V, ID = 40A)

  175°C時為46mΩ(VGS = 15V, ID = 40A)

  溫度傳感器特性

  電阻(R25):25°C時為4.7kΩ

  電阻公差(?R25/R25):±5%

  貝塔常數(B25/100):4110K

  貝塔公差(?B/B):±3%

  封裝尺寸

  尺寸:1.457英寸(37.00mm)× 1.023英寸(26.00mm)× 0.910英寸(23.11mm)

  安裝孔:提供多種安裝孔圖案,便于PCB安裝。

  應用領域

  電動汽車(EV):用于牽引逆變器、車載充電器等。

  可再生能源:太陽能逆變器、風力發電系統。

  工業電源:高頻開關電源、電機驅動。

  數據中心:高效電源模塊。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。

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